1. Introduction. 2. Test structure basic. 3. Resistors. 4. Capacitors. 5. MOSFETs. 6. Ring oscillators. 7. High-speed characterization. 8. Test structures for SOI technology. 9. Test equipment and measurements. 10. Data analysis. Appendix A. Standard physical layouts and parameters used in the book.

1. Introducción. 2. Prueba de estructura básica. 3. Resistencias. 4. Condensadores. 5. MOSFETs. 6. Anillo osciladores. 7. Caracterización de alta velocidad. 8. Estructuras de prueba para tecnología SOI. 9. Equipo de prueba y medidas. 10. Análisis de los datos. Apéndice A. Disposición física estándar y parámetros utilizados en el libro.

Electrónica y Telecomunicaciones

Microelectronic Test Structures for CMOS Technology and Products addresses the basic concepts of the design of test structures for incorporation within test-vehicles, scribe-lines, and CMOS products. The role of test structures in the development and monitoring of CMOS technologies and products has become ever more important with the increased cost and complexity of development and manufacturing. In this timely volume, IBM scientists Manjul Bhushan and Mark Ketchen emphasize high speed characterization techniques for digital CMOS circuit applications and bridging between circuit performance and characteristics of MOSFETs and other circuit elements. Detailed examples are presented throughout, many of which are equally applicable to other microelectronic technologies as well. The authors' overarching goal is to provide students and technology practitioners alike a practical guide to the disciplined design and use of test structures that give unambiguous information on the parametrics and performance of digital CMOS technology.

Las estructuras de prueba microelectrónicas para tecnología y productos CMOS abordan los conceptos básicos del diseño de estructuras de prueba para la incorporación en vehículos de prueba, líneas de trazo y productos CMOS. El papel de las estructuras de prueba en el desarrollo y monitoreo de tecnologías y productos CMOS se ha vuelto cada vez más importante a medida que aumenta el costo y la complejidad del desarrollo y la fabricación. En este volumen oportuno, los científicos de IBM Manjul Bhushan y Mark Ketchen enfatizan las técnicas de caracterización de alta velocidad para aplicaciones de circuitos digitales CMOS y el puente entre el rendimiento del circuito y las características de los MOSFET y otros elementos del circuito. Se presentan ejemplos detallados a lo largo, muchos de los cuales son igualmente aplicables a otras tecnologías microelectrónicas. El objetivo general de los autores es proporcionar a los estudiantes y profesionales de la tecnología una guía práctica para el diseño disciplinado y el uso de estructuras de prueba que brinden información inequívoca sobre la parametría y el rendimiento de la tecnología digital CMOS.